Введение
Революция, происходящая в нанонауке, была инициирована несколькими
со¬путствующими достижениями в технологии. Широко рас¬пространенный метод
изготовления наноструктур - литография - использует для формирования заданных
конфигураций на поверхности чувствительный к облучению слой. Другим хорошо
отлаженным способом получения таких структур является молекулярно-лучевая
эпитаксия, то есть выращивание одного кристаллического материала на поверхности
другого. Кроме того, развиты разно¬образные методы химического осаждения, а
также стимуляция самосборки, т.е. спонтанного агрегирования молекулярных групп.
Непрерывное продвижение технологии с начала 70-х годов следовало закону Мура,
согласно которому количество транзисторов на чипе динамической памяти
удваивалось каждые полтора года. Это обеспечивало как постоянное улучшение
эффективности взаимосвязей в схеме, так и неуклонное уменьшение ее размеров.
Необходимость во все большей емкости запоминающих устройств и во все более
бистром и широком распространении информации по сетям связи стала эконо¬мической
подоплекой этой революции. Еще одним ключевым фактором, ответст¬венным за
нанотехнологическую революцию, явилось усовершенствование ста¬рых и создание
новых инструментальных средств для определения параметров на¬ноструктур. Многие
такие системы пока весьма громоздки, дороги (стоимостью порядка миллиона
долларов) и часто требуют для работы на них высококвалифи¬цированных
специалистов. Цель лекции состоит в объяснении принципов действия некоторых
приборов и методов и описании их возможностей.
Будут описаны установки для определения положе¬ний атомов объеме и изучения
наномасштабных структур на поверхности, а так¬же различные спектроскопические
приборы для изучения свойств наноструктур.