2.4. Структура поверхности
Для получения кристаллографической информации о приповерхностных слоях материала
используется методика дифракции низкоэнергетических электронов. Так как
электроны малых энергий (10-100 эВ) проникают в образец неглубоко,
дифракционная картина отражает положение атомов в поверх¬ностном слое. Если в
образовании ди¬фракционной картины участвуют и другие слои атомов, вклад глубже
ле¬жащих слоев имеет меньшую интен¬сивность. Электронный пучок ведет себя как
волна и отражается от крис¬таллографических плоскостей анало¬гично
рентгеновскому пучку. Его дли¬на волны λ , называемая длиной волны де Бройля,
зависит от энергии Е, выра¬женной в электронвольтах, следующим образом:
Электроны низких энергий хорошо подходят для дифрак¬ционных методов измерения.
Другим способом определения постоянной ре¬шетки приповерхностного слоя явля¬ется
дифракция высокоэнергичных электронов под скользящими углами, при которых
проникновение луча под поверхность минимально. Когда θ в ус¬ловии Брэгга-Вульфа
мал, λ так же должна быть малой, а энергия Е, в со¬ответствии с (3.6), -
большой, отсюда и необходимость в электронах с высокой энергией при дифракции
под малы¬ми углами.