3.3. Рентгеновская литография
Метод рентгеновской литографии иллюстрируется рис. 2.21.
Маска состоит из мембраны, про¬зрачной для рентгеновских лучей и под¬держивающей
пленку, которая имеет за-
Рис. 2.21. Схематическое изображение рентгеновской литографии
данный рисунок и сделана из материала, сильно поглощающего рентгеновские лу¬чи.
Эта маска располагается на подложке, покрытой радиационно-чувствительным
резистом. На определенном расстоянии от маски находится точечный источник
рентгеновского излучения, которое воз¬никает при взаимодействии
сфокусиро¬ванного электронного луча с мишенью. Рентгеновские лучи облучают
маску, соз¬давая соответствующие проекционные тени от поглотителя рентгеновских
лучей на полимерной пленке.
Это пока единственный способ экс¬понирования резиста рентгеновскими лу¬чами,
поскольку линз и зеркал для управ¬ления ими сделать нельзя. Вставка в кружке к
рис. 2.21 иллюстрирует величи¬ну полутени 8 рентгеновского луча, кото¬рая
является результатом конечного зна¬чения ширины d рентгеновского пучка, присущей
любому источнику рентгенов¬ского излучения. При каждой экспозиции величина 5
может быть уменьшена путем правильного выбора параметров. Полуте¬невое
изображение снижает четкость ли¬ний на фоторезисте и определяет мини¬мально
допустимую величину литографи¬ческого разрешения системы
,
где s - ширина зазора между фотошабло¬ном и подложкой.
Поскольку в рентгеновской литогра¬фии используемые длины волн составля¬ют 1 нм,
дифракционные эффекты пре¬небрежимо малы, и поэтому маску можно располагать на
некотором небольшом расстоянии от подложки.