Магниторезистивный эффект.
Магниторезистор представляет собой полупроводниковый рези¬стор, основное
свойство которого заключается в способности изменять свое электрическое
сопротивление под действием магнитного поля.
Магниторезистивный эффект, или эффект Гаус¬са, заключается в изменении удельной
проводимости полупроводни¬ка при изменении воздействующего на него магнитного
поля.
Пластина полупроводника помещается во внешнее поперечное магнитное поле, и вдоль
нее пропускается ток. Действие силы Лорен¬ца вызывает искривление траектории
носителей заряда и приводит к удлинению пути, проходимого носителями между
электродами, к ко¬торым приложено внешнее электрическое поле, что эквивалентно
воз¬растанию удельного сопротивления полупроводника.
Увеличение сопротивления полупроводника происходит и когда магнитное поле
направлено перпендикулярно направлению протека¬ния электрического тока, и когда
направление магнитного поля параллельно направлению тока. В первом случае мы
имеем дело с поперечным эффектом магнитосопротивления, получившем практическое
применение. Второй случай носит название продольного эффекта магнитосо-
противления. Практического применения он не нашел из-за слабого изменения
сопротивления в магнитном поле.
Магнитосопротивление можно определить как раз¬ность между сопротивлением
магниторезистора в магнитном поле Rв и без магнитного поля (начальное
сопротивление). Начальное сопро¬тивление R0 определяется материалом и
используемой конструк¬цией.