Тонкопленочная технология
Тонкогшеночная технология - это совокупность способов получения и обработки тонких (0,01... 1 мкм, не свыше 3 мкм) пленок металлов, диэлектриков и полупроводников при изготовлении ИС, ПП — приборов, коммутационных соединений и монтажных площадок в микросхемах. Основу тонкоппеночных технологий составляют методы получения тонких пленок, которые можно выделить в три класса; • физические методы;
* о испар ение в в акууме (термиче ско е, эпектр онно-лучев о е, по ср едств ом эпектр онной б омб ардир овки, и др );
* о ионно е р аспыление (магнетр окно е, ионно лучев о е, и др.); химические методы;
* о электрохимическое осаждение;
* о осаждение из газовой фазьт с помощью химических реакций;
* о термиче ско е выр ащив ание;
* о анодирование; и др. комбинационные методы;
* о термоионное осаждение;
* о плазмохимическое осаждение;
* о газовое анодирование; и др.
Необходимая конфигурация тонкоппеночных элементов микросхем (их рисунок) создается осаждением через маски, фотолитографией, эпектронопитографией др. способами.
В качестве подложек обычно применяют пластинки из стекла, керамики, ситаппов, органических материалов, монокристаллов ПП и др. материалов. Требования подложкам для тонкоппеночных элементов микросхем:
• отсутствие пов ерхно стных и внутр енних (о бъ емных) де ф ектов;
Ф большое объемное и поверхностное удельное электрическое сопротивление;
• вьтс окая теппопр ов одно сть и термо стойко сть;
• вьтс окая механиче екая пр очно сть;
• идр.
Для получения тонких пленок на подложках промышпенно выпускается специальное технологическое оборудование, например: вакуумно-напыпитепьные установки термического испарения и ионного распыления и др. (вакуумная напыпигепьная техника).
Зшдечапие: основные электрические характеристики резистивных тонких пленок:
поверхностное сопротивление слоя; (10... 1000 Ом/кв);
температурный коэффициент сопротивления; (не свыше 10-4 К-1) Зшдечапие: размеры структурных дефектов в тонких пленках могут быть сравнимы с их толщиной, и поэтому существенно влиять на их свойства. Зшдечапие: послойное нанесение тонких пленок различных материалов с одновременным формированием в них пассивных и активных элементов, а также межсоединений, лежит в основе создания интегральных схем.